企业简介
青岛隆盛晶硅科技有限公司 main business:太阳能光电系统安装及辅料销售；太阳能材料、太阳能电池片、太阳能组件的生产加工、研发、销售、检验检测；多晶硅材料制备设备的研发、生产、销售、技术咨询、安装服务；太阳能及晶硅材料的技术代理服务、咨询及转让，太阳能发电系统设备的生产及销售（不含特种设备）；货物进出口，技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外，法律、行政法规限制的项目取得许可后方可经营）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 青岛即墨市普东镇太阳能产业基地.
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青岛隆盛晶硅科技有限公司的工商信息
- 370282230062385
- 91370282587839146M
- 在营（开业）企业
- 其他有限责任公司
- 2012年02月16日
- 李志全
- 5000.000000
- 2012年02月16日 至 2022年02月15日
- 即墨市工商行政管理局
- 2017年06月30日
- 青岛即墨市普东镇太阳能产业基地
- 太阳能光电系统安装及辅料销售；太阳能材料、太阳能电池片、太阳能组件的生产加工、研发、销售、检验检测；多晶硅材料制备设备的研发、生产、销售、技术咨询、安装服务；太阳能及晶硅材料的技术代理服务、咨询及转让，太阳能发电系统设备的生产及销售（不含特种设备）；货物进出口，技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外，法律、行政法规限制的项目取得许可后方可经营）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。
青岛隆盛晶硅科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10615896 |  |
隆盛晶硅科技 LS | 2012-03-14 | 单晶硅；硅外延片；石英晶体；多晶硅；电阻材料；碳电极；石墨电极；无源极板；电子管阳极；实验室用特制服装 | 查看详情 |
| 2 | 10615879 |  |
LS | 2012-03-14 | 切断机(机器)；铸造(锭)机；抛光机器和设备(电动的)；角向磨光机；静电工业设备；空气压缩机；清洗设备；电动清洁机械和设备；真空吸尘器管 | 查看详情 |
| 3 | 16988030 |  |
青阳光伏 | 2015-05-19 | 单晶硅；硅外延片；石英晶体；多晶硅；电阻材料；碳电极；电子管阳极；无源极板；石墨电极；实验室用特制服装；光伏电池；太阳能电池 | 查看详情 |
| 4 | 16937910 |  |
隆盛晶硅科技 | 2015-05-13 | 硅外延片；石英晶体；多晶硅；电阻材料；碳电极；单晶硅；无源极板；电子管阳极；石墨电极；实验室用特制服装；光伏电池；太阳能电池 | 查看详情 |
| 5 | 16988057 |  |
图形 | 2015-05-19 | 多晶硅；石墨电极；无源极板；电子管阳极；硅外延片；电阻材料；碳电极；单晶硅；石英晶体；实验室用特制服装；太阳能电池；光伏电池 | 查看详情 |
| 6 | 16987706 |  |
琴青光伏 | 2015-05-19 | 单晶硅；硅外延片；石英晶体；多晶硅；电阻材料；碳电极；电子管阳极；无源极板；石墨电极；实验室用特制服装；光伏电池；太阳能电池 | 查看详情 |
| 7 | 16987841 |  |
普辉光伏 | 2015-05-19 | 单晶硅；硅外延片；石英晶体；多晶硅；电阻材料；碳电极；电子管阳极；无源极板；石墨电极；实验室用特制服装；光伏电池；太阳能电池 | 查看详情 |
青岛隆盛晶硅科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103572365B | 一种侧部加热器可移动的铸锭炉及铸锭生产工艺 | 2017.01.11 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种侧部加热器可移动的铸锭炉及铸锭生产工艺。其装置包括炉体，炉体内 |
| 2 | CN104164575B | 一种电子束熔炼的温度场模拟方法及其设备 | 2016.10.26 | 本发明属于电子束熔炼技术领域，特别涉及一种电子束熔炼的温度场模拟方法及其设备，以液态流体作为模拟介质 |
| 3 | CN103741210B | 一种电子束熔炼多晶硅除氧与连续铸锭的方法及设备 | 2016.08.17 | 本发明属于冶金熔炼领域，特别涉及一种电子束熔炼多晶硅除氧与连续铸锭的方法及设备，该方法首先将炉体和电 |
| 4 | CN104276572B | 多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法 | 2016.08.10 | 本发明属于多晶硅介质熔炼领域，涉及一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法，由以下原料混合而成：SiO |
| 5 | CN205335265U | 新型太阳能电池组件 | 2016.06.22 | 本实用新型涉及新型太阳能电池组件，属于封装的半导体器件技术领域。其解决的是现有太阳能电池存在的因串联 |
| 6 | CN103344471B | 一种调整硝酸滴加浓度的多晶硅预处理方法 | 2016.05.25 | 本发明涉及一种多晶硅杂质检测的预处理方法，具体涉及一种调整硝酸滴加浓度的多晶硅预处理方法。其步骤如下 |
| 7 | CN104276573B | 一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法 | 2016.05.11 | 本发明属于多晶硅介质熔炼领域，涉及一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法，由以下原料混合而成：Na< |
| 8 | CN104250008B | 一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法 | 2016.04.13 | 本发明属于冶金造渣技术领域，特别涉及一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法，在原有造渣设备的基础之上增加 |
| 9 | CN103668450B | 可减少多晶硅铸锭中细晶产生的铸锭工艺 | 2016.04.13 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，具体涉及一种可减少多晶硅铸锭中细晶产生的铸锭工艺，主要在长晶过程中按照以下 |
| 10 | CN105489676A | 新型太阳能电池组件 | 2016.04.13 | 本发明涉及新型太阳能电池组件，属于封装的半导体器件技术领域。其解决的是现有太阳能电池存在的因串联方式 |
| 11 | CN103541002B | 应用于多晶硅铸锭的双电源自适应控制工艺 | 2016.03.30 | 本发明属于多晶硅铸锭工艺，具体涉及一种应用于多晶硅铸锭的双电源自适应控制工艺，在铸锭工艺的各个环节中 |
| 12 | CN103397377B | 多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置 | 2016.03.30 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置。一种多晶硅均匀长晶工艺， |
| 13 | CN103409789B | 一种多晶硅定向凝固装置 | 2016.03.30 | 本发明属于定向凝固领域，特别涉及一种多晶硅定向凝固装置，本发明装置构思独特，在原有设备的基础上，加以 |
| 14 | CN103397380B | 一种多晶硅铸锭炉及其快速铸锭工艺 | 2016.03.30 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种多晶硅铸锭炉及其快速铸锭工艺。一种多晶硅铸锭炉，保温套筒下部沿 |
| 15 | CN103553050B | 多晶硅连续化介质熔炼方法 | 2016.03.02 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅连续化介质熔炼方法，按照以下步骤进行：将硅料和渣剂在中频 |
| 16 | CN103420379B | 电子束连续化熔炼制备太阳能级多晶硅的方法及其装置 | 2016.03.02 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束连续化熔炼制备太阳能级多晶硅的方法及其装置，本发明打破了 |
| 17 | CN103510157B | 一种高效铸锭的诱导长晶工艺 | 2016.03.02 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种高效铸锭的诱导长晶工艺。包括装料抽真空、加热熔化、诱导长晶、退 |
| 18 | CN103359737B | 一种工业硅到介质熔炼的全液态连续化生产方法 | 2016.01.13 | 本发明属于介质熔炼技术领域，特别涉及一种工业硅到介质熔炼的全液态连续化生产方法。其方法如下：（1）在 |
| 19 | CN103498194B | 一种定向凝固设备及其制备多晶硅的方法 | 2016.01.13 | 本发明涉及定向凝固领域，具体涉及一种定向凝固设备及其制备多晶硅的方法，所述的一种定向凝固设备，固定在 |
| 20 | CN103466630B | 提高除杂效果的多晶硅定向凝固方法及其装置 | 2015.12.23 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种提高除杂效果的多晶硅定向凝固方法及其装置。通过在现有设备中增加 |
| 21 | CN103708465B | 一种利用混渣的介质熔炼工艺 | 2015.11.04 | 本发明属于介质熔炼领域，具体涉及一种利用混渣的介质熔炼工艺。介质熔炼包括2～3次造渣熔炼，其步骤包括 |
| 22 | CN103771358B | 应用于多晶硅提纯的氮化硅涂层回收方法 | 2015.09.23 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种应用于多晶硅提纯的氮化硅涂层回收方法，使用过后的氮化硅涂层主要 |
| 23 | CN103276446B | 一种介质熔炼后渣剂再利用的方法 | 2015.09.09 | 本发明属于介质熔炼技术领域，特别涉及一种介质熔炼后渣剂再利用的方法。一种介质熔炼后渣剂再利用的方法， |
| 24 | CN103411819B | 检测偏硅酸钠中硼杂质的预处理方法 | 2015.09.02 | 本发明涉及一种偏硅酸钠杂质检测预处理方法，具体涉及一种检测偏硅酸钠中硼杂质的预处理方法，将偏硅酸钠样 |
| 25 | CN103553049B | 应用于多晶硅提纯的介质熔炼衔接初步定向凝固工艺 | 2015.09.02 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种应用于多晶硅提纯的介质熔炼衔接初步定向凝固工艺，包括介质熔炼， |
| 26 | CN103539125B | 介质熔炼与初步定向凝固衔接提纯多晶硅的方法 | 2015.09.02 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种介质熔炼与初步定向凝固衔接提纯多晶硅的装置及方法。装置炉体内的 |
| 27 | CN103342363B | 多晶硅介质熔炼时便于硅渣分离的造渣剂及其使用方法 | 2015.08.19 | 本发明属于多晶硅介质熔炼领域，具体涉及一种多晶硅介质熔炼时便于硅渣分离的造渣剂及其使用方法。造渣剂由 |
| 28 | CN103570024B | 多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法 | 2015.07.29 | 本发明属于电子束熔炼领域，特别涉及一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法。包括备料、抽真空、预 |
| 29 | CN103738965B | 电子束熔炼液态硅除氧的方法及其装置 | 2015.07.01 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束熔炼液态硅除氧的方法及其装置，本发明中打破了传统的除氧模 |
| 30 | CN104726934A | 一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺 | 2015.06.24 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺。本发明包括装料抽真空，加氩 |
| 31 | CN103361737B | 多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺 | 2015.06.17 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺，按照以下步骤进行：（1 |
| 32 | CN103351001B | 工业硅分离杂质的方法 | 2015.06.03 | 本发明涉及一种工业硅的提纯方法，具体涉及一种工业硅分离杂质的方法，包括以下步骤：（1）在真空环境下将 |
| 33 | CN103420380B | 电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的方法及装置 | 2015.06.03 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束熔炼与定向凝固技术耦合制备多晶硅的方法及装置，在本发明中 |
| 34 | CN104649275A | 一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法 | 2015.05.27 | 本发明属于用电子束熔炼的技术领域，特别涉及一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法，步骤包括装料、抽真空 |
| 35 | CN104649274A | 电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置 | 2015.05.27 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置，本发明中，打破 |
| 36 | CN104651930A | 电子束除氧与初步铸锭耦合制备多晶硅的装置及方法 | 2015.05.27 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种电子束熔炼除氧与长晶技术耦合制备多晶硅的装置及方法。其装置包括 |
| 37 | CN103435043B | 电子束熔炼与长晶技术耦合制备多晶硅的装置及工艺方法 | 2015.05.27 | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种电子束熔炼与长晶技术耦合制备多晶硅的装置及工艺方法。一种电子束 |
| 38 | CN104651929A | 一种电子束熔炼多晶硅除氧与铸锭耦合的方法及设备 | 2015.05.27 | 本发明属于冶金熔炼领域，特别涉及一种电子束熔炼多晶硅除氧与铸锭耦合的方法及设备，该方法首先将炉体和电 |
| 39 | CN104649276A | 电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置 | 2015.05.27 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置，打破了传统的电 |
| 40 | CN103411808B | 检测二氧化钛中硼杂质的预处理方法 | 2015.05.27 | 本发明涉及一种造渣剂中杂质硼检测的预处理方法，具体涉及一种检测二氧化钛中硼杂质的预处理方法。向二氧化 |
| 41 | CN104649277A | 一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法 | 2015.05.27 | 本发明属于用电子束熔炼的技术领域，特别涉及一种电子束熔炼去除多晶硅铸锭底料中杂质氧的方法。步骤包括将 |
| 42 | CN103265035B | 介质熔炼中实现硅渣对流搅拌的方法 | 2015.05.20 | 本发明属于多晶硅介质熔炼领域，具体涉及一种介质熔炼中实现硅渣对流搅拌的方法，其特征在于当渣剂全部熔融 |
| 43 | CN103318876B | 一种检测石墨中硼元素的前处理的方法 | 2015.05.20 | 本发明属于介质熔炼技术领域，特别涉及一种检测石墨中硼元素的前处理的方法。包括下述步骤：（1）将石墨粉 |
| 44 | CN103387416B | 一种提高介质熔炼中石墨坩埚使用寿命的方法 | 2015.05.20 | 本发明属于介质熔炼技术领域，特别涉及一种提高介质熔炼中石墨坩埚使用寿命的方法。石墨坩埚放置于炉体内， |
| 45 | CN103395789B | 多晶硅介质熔炼后初步定向凝固工艺 | 2015.05.06 | 本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅介质熔炼后初步定向凝固工艺，包括以下步骤：（1）采用保温 |
| 46 | CN104502416A | 一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法 | 2015.04.08 | 本发明涉及一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法，在提纯后的硅锭上寻找电阻率跃变点，电阻率跃变点的高度除以 |
| 47 | CN104480526A | 一种高硼硅材料的制备方法 | 2015.04.01 | 本发明涉及一种高硼硅材料的制备方法，所述方法包括介质熔炼、配料、装料、抽真空、加热熔化、长晶、退火和 |
| 48 | CN104404618A | 一种可降低多晶硅电池片的低效片比例的铸锭工艺 | 2015.03.11 | 本发明公开了一种可降低多晶硅电池片的低效片比例的铸锭工艺，采用GT铸锭炉进行加工，熔化阶段TC2温度 |
| 49 | CN204173921U | 多晶硅定向提纯炉 | 2015.02.25 | 本实用新型公开了一种多晶硅定向提纯炉，属于多晶硅的提纯领域，用以解决多晶硅熔炼过程中的高温挥发性杂质 |
| 50 | CN104276573A | 一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法 | 2015.01.14 | 本发明属于多晶硅介质熔炼领域，涉及一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法，由以下原料混合而成：Na< |
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